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美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000

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伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性:

1.水冷 - 与 KRI 霍尔离子源 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流

2.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

3.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

4.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便

5.高效的等离子转换和稳定的功率控制



伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:

离子源型号


霍尔离子源

eH2000
eH2000LE
eH2000HO

Cathode/Neutralizer

F or HC
HC
HC

电压

50-300V
30-150V
50-250V

电流

10A
15A
15A

散射角度

>45

可充其他 Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

气体流量

2-75sccm

高度

4.0“

直径

5.7“

水冷




伯东 KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域:

1. 离子辅助镀膜 IAD

2. 预清洗 Load lock preclean

3. 预清洗 In-situ preclean

4. Direct Deposition

5. Surface Modification

6. Low-energy etching

7. III-V Semiconductors

8. Polymer Substrates


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