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美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000

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上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 属于无栅网离子源. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”

放电电压 / 电流: 50-300V / 10A

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体



伯东 KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:

1.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

2.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

3.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷

4.高效的等离子转换和稳定的功率控制


KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:

型号

eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO

供电

DC magnetic confinement

- 电压

40-300V VDC

- 离子源直径

~ 5 cm

- 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-30010A

配置

-

- 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

- 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

- 阳极

标准或 Grooved

- 水冷

前板水冷

- 底座

移动或快接法兰

- 高度

4.0'

- 直径

5.7'

- 加工材料

金属
电介质
半导体

- 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

- 安装距离

10-36”

- 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder


KRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:

1.离子辅助镀膜 IAD

2.预清洗 Load lock preclean

3.预清洗 In-situ preclean

4.Direct Deposition

5.Surface Modification

6.Low-energy etching

7.III-V Semiconductors

8.Polymer Substrates


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