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美国 KRI 射频离子源 RFICP40

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上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 40, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.

KRI 射频离子源 RFICP 40 属于大面积射频离子源, 离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.

适用于集成在小型的真空腔体内.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40 特性:

1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.

2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.

3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束

4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行

5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用

6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性


KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

离子源型号

RFICP 40

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>100 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

3-10 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

直径

13.5 cm

中和器

LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量


伯东KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域:

1. 预清洗

2. 表面改性

3. 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,

4. 溅镀和蒸发镀膜 PC

5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD

6. 离子蚀刻 IBE

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