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CCP等离子刻蚀机

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CCP等离子刻蚀机WINETCH是面向科研及企业研发客户使用需求设计的高性价比CCP等离子体系统。作为一个多功能系统,它通过优化的系统设计与灵活的配置方案,获得高性能CCP刻蚀工艺。该设备结构紧凑占地面积小,业的机械设计与优化的自动化操作软件使该设备操作简便、安全,且工艺稳定重复性佳。
CCP刻蚀是一种常用的微纳加工技术,广泛应用于半导体器件制造、光学器件制造,生物芯片制造等域。其原理是利用高频交变电场产生等离子体,在等离子体的作用下将材料表面进行化学反应和物理碰撞,从而实现对材料的刻蚀。

 

WINETCH刻蚀系统通过电容耦合(CCP)方式产生高密度等离子体,按掩膜(例如光刻胶掩膜)图形、实现对介质材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的选择性刻蚀。

CCP系统主要由以下几部分组成:反应腔室、下电 、喷淋头(上电)、射频电源、真空系统、预真空室、气路系统、控制系统与软件、配套附件等。

WINETCH等离子刻蚀机产品特点:

-刻蚀形貌好、工艺性能优越

-高选择比、高刻蚀速率

-低拥有成本和消耗成本


WINETCH等离子刻蚀机技术参数:

晶圆尺寸:6/8寸兼容

适用工艺:等离子体刻蚀

适用材料:SiO2,Si3N4,etc.
适用域:化合物半导体、MEMS、功率器件、科研等领域

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