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ICP等离子刻蚀机

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产品特点:

● 4/6/8英寸兼容,单片晶圆真空传输系统

● 低成本高可靠,适合研发及小规模生产

● 设备结构简单,外形小

● 操作简便、便于自动控制、适合大面积基片刻蚀

● 优异的刻蚀均匀性,刻蚀速率快

●满足半导体标准的配方驱动及管理软件控制系统

● 选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小

● 断面轮廓可控性高,刻蚀表面平整光滑


技术参数:

晶圆尺寸:4/6/8英寸兼容

适用工艺:等离子体刻蚀

适用材料:SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy,etc.

适用领域:化合物半导体,MEMS、功率器件、科研等领域

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